Руководство североамериканского чипмейкера Qualcomm приняло решение объединить усилия с южнокорейской корпорацией Samsung Electronics с целью разработки нового полупроводникового решения, которое будет использоваться в будущем флагманском мобильном устройстве Galaxy S9 — пишут журналисты The Investor.
Напомним, что официальная премьера новых флагманских смартфонов Galaxy S8 и S8 Plus состоялась в конце прошлого месяца. В качестве аппаратной платформы в одной из версий девайса южнокорейские специалисты использовали полупроводниковое решение Snapdragon 835, содержащее в себе восемь вычислительных ядер. Тактовая частота SoC, работающего в связке с сотовым модемом X16 LTE и графическим ускорителем Adreno 540, составляет 2,45 ГГц.
Ожидается, что создаваемый для нового флагманского устройства Galaxy S9 процессор получит название Snapdragon 845. Что касается его технических характеристик, то о них, к сожалению, пока ничего не известно. Впрочем, нетрудно догадаться, что он сможет похвастать более высоким быстродействием ядер и графической подсистемы, нежели нынешний флагман Snapdragon 835.
Как только новый SoC будет разработан, его производством займется либо сама корпорация Samsung Electronics, либо тайваньский контрактный производитель Taiwan Semiconductor Manufacturing Company. Отметим, что производством Snapdragon 835 в настоящий момент занимается именно южнокорейская корпорация, использующая при изготовлении данного микропроцессора 10-нанометровую технологию.
К слову, до конца нынешнего квартала тайваньский контрактный производитель TSMC планирует начать рисковое производство 7-нанометровых микропроцессоров по заказу компании MediaTek. Не исключено, что аналогичный техпроцесс будет использоваться южнокорейской корпорацией при изготовлении чипов Snapdragon 845.
Источник: b-online.ru
Комментарии: